Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76629D3S

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76629D3

HUF76629D3S Hakkında

HUF76629D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüler, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 52mΩ max on-resistance (10V Vgs'de) ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1285 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok