Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76629D3S
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76629D3
HUF76629D3S Hakkında
HUF76629D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-252 (DPak) SMD paketlemesinde sunulmaktadır. 52mΩ maksimum açık direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında kullanıldığında düşük güç kaybı sağlar. 110W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrol, güç kaynakları, LED driver ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok