Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76619D3S
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76619D3
HUF76619D3S Hakkında
HUF76619D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük 85mOhm on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 767 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok