Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76609D3S

HUF76609D3S Hakkında

HUF76609D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 160mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 49W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Kompakt yapısı ve düşük kapasite değerleri (425pF @ 25V) hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok