Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76609D3
HUF76609D3 Hakkında
HUF76609D3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 160mΩ on-state direnç (Rds On) özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 49W güç tüketim kapasitesine ve 16nC gate charge değerine sahiptir. Maksimum ±16V gate gerilim toleransı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok