Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76609D3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76609D3
HUF76609D3_NL Hakkında
HUF76609D3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source voltajı ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 160mOhm maksimum on-direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 49W maksimum güç tüketimi ve 16nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok