Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76609D3
HUF76609D3 Hakkında
HUF76609D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sunarak verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate threshold gerilimi 3V'da 250µA akımda belirlenmiştir. TO-251 (IPAK) paketinde monte edilmiş olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 49W maksimum güç harcanması kapasitesi ile analog ve dijital devre uygulamalarında, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±16V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok