Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76443S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76443S3ST
HUF76443S3ST Hakkında
HUF76443S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile ısı kaybını minimize eder. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 260W güç dağıtabilir. 10V kapı geriliminde 129nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 129 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4115 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok