Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76439S3S

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76439S3S

HUF76439S3S Hakkında

HUF76439S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 84nC gate charge ve 2745pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 180W maksimum güç tüketimine kapaçitelendi. Hazırlık ve konverter tasarımlarında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok