Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76432S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76432S3

HUF76432S3ST Hakkında

HUF76432S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltajı ve 59A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TO-263 paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüler, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 130W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 53nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1765 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 59A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok