Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76432P3

MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF76432

HUF76432P3 Hakkında

HUF76432P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 59A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde gelen komponent, anahtarlama, PWM kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 17mOhm on-state direnç (Rds On) değeri düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında ve 130W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Gate charge karakteristiği 53nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1765 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 59A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok