Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76429D3

HUF76429D3ST Hakkında

HUF76429D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. 23mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 110W güç dağıtabilir. Gate charge 46nC ve input capacitance 1480pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok