Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76429D3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76429D3
HUF76429D3 Hakkında
HUF76429D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan transistör, 110W maksimum güç saçımı ile sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 23mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 10V gate voltajında maksimum 46nC gate charge gereksinimi ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok