Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76423D3

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF76423D3

HUF76423D3 Hakkında

HUF76423D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 20A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük 32mΩ (10V, 20A) RDS(on) değerine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan komponentin maksimum 85W güç yayma kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 34nC olup, 1060pF input kapasitansına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Komponentin parça durumu (Part Status) güncellenmiş ürünlere geçilmesini yansıtsa da, endüstriyel ve uygulamalarda halen tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok