Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76419

HUF76419S3ST Hakkında

HUF76419S3ST, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 29A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtar uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketine sahip olan bileşen, 35mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 75W güç dağılım kapasitesine sahiptir. ±16V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol devreleri tarafından yönetilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, SMPS uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Bileşen status olarak obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok