Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76419D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76419D3

HUF76419D3ST Hakkında

HUF76419D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde gelen bileşen, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate geriliminde 37mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Üretim sürdürülmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok