Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76413D3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF76413D3

HUF76413D3 Hakkında

HUF76413D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük 49mOhm on-resistance değeri ile verimli enerji transferi sağlar. Motor kontrolü, anahtarlı güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve benzer güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ortamlarda kullanım için uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok