Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76407D3ST

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76407D3

HUF76407D3ST Hakkında

HUF76407D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Logic Level MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj sınırlaması ile 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (92mOhm @ 10V) sayesinde güç kaybını azaltır. 4.5V logic level sürüş voltajı ile dijital kontrol devrelerine doğrudan entegrasyonu mümkündür. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C) ve 38W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok