Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76407D3

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF76407D3

HUF76407D3 Hakkında

HUF76407D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-251-3 (I-PAK) paketine sahip bu transistör, güç yönetimi, anahtar devreleri ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 92mOhm maksimum Rds(on) direnci sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 38W güç dissipasyonuna kapaklıdır. Gate charge 11.3nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok