Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76145S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76145S3

HUF76145S3ST Hakkında

HUF76145S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 75A sürekli drenaj akımı ve 30V drenaj-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 270W güç taşıyabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok