Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76145S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76145S3S

HUF76145S3S Hakkında

HUF76145S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 30V Vdss ile 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç denetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 270W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok