Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76143S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76143S3

HUF76143S3ST Hakkında

HUF76143S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75A sürekli dren akımı ve 30V dren-kaynak gerilimi özelliklerine sahiptir. 5.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 225W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok