Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76139S3STK
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76139
HUF76139S3STK Hakkında
HUF76139S3STK, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı kapasitesine ve 30V dren-kaynak gerilim derecesine sahiptir. 7.5mΩ RDS(On) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 165W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Switching uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V kapı geriliminde optimize edilmiş çalışma karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok