Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76139S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76139S3
HUF76139S3ST Hakkında
HUF76139S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 3V threshold geriliminde açılır. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrol, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok