Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76139S3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76139S3
HUF76139S3 Hakkında
HUF76139S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ile 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu transistör, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 7.5mΩ on-dirençi ile düşük enerji kaybı sağlar. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 200W maksimum güç dağılımı ve 78nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok