Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76139P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF76139

HUF76139P3 Hakkında

HUF76139P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.5mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan HUF76139P3, 165W maksimum güç saçıtma kapasitesi ile yüksek akımlı devre tasarımlarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok