Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76132S3S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76132S3S
HUF76132S3S Hakkında
HUF76132S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 75A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 120W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrolü, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım anahtarlaması gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve SMD montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok