Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76129P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF76129P3

HUF76129P3 Hakkında

HUF76129P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 56A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 30V drenaj-kaynak gerilimi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (16Ω @ 56A, 10V) ile enerji kaybını minimize eder. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. TO-220-3 paket tipi ile doğrudan monte edilebilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 56A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok