Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76129D3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76129D3
HUF76129D3ST Hakkında
HUF76129D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj desteği ve 20A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında alansal verimlilik sunur. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri için tercih edilir. 105W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile yüksek güç yoğunluğunun gerektiği tasarımlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok