Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76129D3S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76129D3
HUF76129D3S Hakkında
HUF76129D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 16mΩ On-Resistance değeri ile düşük ısı kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltaj elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 105W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok