Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76121S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76121S3

HUF76121S3ST Hakkında

HUF76121S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'dir. 30V drain-source gerilimi ve 47A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paket tipi ile surface mount teknolojisine uyumludur. 21mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp özelliğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok