Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76121D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76121D3

HUF76121D3ST Hakkında

HUF76121D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj ile 20A sürekli drain akımını destekleyen bu bileşen, düşük on-state direnç (23mOhm @ 20A, 10V) sayesinde enerji yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate voltajı ±20V aralığında kontrol edilebilir. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok