Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76121D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76121D3

HUF76121D3S Hakkında

HUF76121D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 20A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, maksimum 75W güç tüketebilir. 23mOhm (10V, 20A'de) açık-kanal direnci ile düşük kayıplar sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabildir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED aydınlatma ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok