Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76113T3ST
4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76113
HUF76113T3ST Hakkında
HUF76113T3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 4.7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 31mOhm on-state direncesi (Rds On) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. SOT-223-4 yüzey montaj paketiyle sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (20.5nC) ve input capacitance (625pF) değerleri, hızlı komütasyon ve verimli çalışma imkanı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok