Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76013P3

MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF76013

HUF76013P3 Hakkında

HUF76013P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket türünde through-hole montajı için tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 22mOhm on-resistance değeri ile güç anahtarlama, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. 50W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sağlar. 17nC gate charge ve 624pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 624 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok