Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76013D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76013
HUF76013D3ST Hakkında
HUF76013D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 10V'da 17nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 50W güç tüketebilir ve ±20V gate gerilimi dayanımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 624 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok