Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76013D3S

MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76013D3

HUF76013D3S Hakkında

HUF76013D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. TO-252 (D-Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 22mOhm maksimum gate direnci (Rds On) ile düşük geç̧iş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 50W maksimum güç saçılması kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarında tercih edilir. Bileşen obsolete durumunda olsa da teknik belgeleri ve pin konfigürasyonu referans tasarımlar için erişilebilir kalır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 624 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok