Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76009P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76009P3
HUF76009P3 Hakkında
HUF76009P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 20A sürekli dren akımı ve 20V dren-kaynak gerilimi ile tasarlanan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve akım denetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında kullanılmasını mümkün kılar. 41W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok