Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76009D3ST

MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76009D3

HUF76009D3ST Hakkında

HUF76009D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (27mΩ @ 20A, 10V) ile verimli enerji aktarımı sağlar. Gate threshold gerilimi maksimum 3V olup, hızlı anahtarlama performansı ve kompakt form faktörü ile endüstriyel kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüleri ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok