Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76009D3ST

MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76009D3

HUF76009D3ST Hakkında

HUF76009D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (27mOhm @ 20A, 10V) sayesinde verimli ısı yönetimi sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum gate voltajı ±20V olup, 13nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok