Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75945P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75945P3

HUF75945P3 Hakkında

HUF75945P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 71mOhm @ 38A, 10V üzerinde düşük on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 310W güç yayınlayabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Vgs(th) değeri 4V @ 250µA olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4023 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok