Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75945G3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
HUF75945G3

HUF75945G3 Hakkında

HUF75945G3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilim değeri ve 38A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 71mOhm düşük on-state direnci ile enerji kaybını minimalize eder. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük uygulamalarında tercih edilir. TO-247 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4023 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package TO-247AD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok