Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75939P3

MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75939

HUF75939P3 Hakkında

HUF75939P3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket ile Through Hole montajı destekler. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Gate charge karakteristiği 152nC olup, hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Motor kontrolü, DC-DC konverterler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun, 180W maksimum güç disipasyonu özelliğine sahiptir. NOT: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok