Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75939P3
MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75939
HUF75939P3 Hakkında
HUF75939P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 152nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Maksimum 180W güç tüketebilir ve ±20V gate gerilim aralığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok