Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75925P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75925P3
HUF75925P3 Hakkında
HUF75925P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 275mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, pwm anahtarları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 100W maksimum güç tüketebilir. ±20V gate gerilimi ve 78nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 275mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok