Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75925D3ST

MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF75925D3

HUF75925D3ST Hakkında

HUF75925D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesi ve 11A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile yüksek ısı dağıtımı sağlar. 10V gate sürüş voltajında 275mOhm on-resistance değerine sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 78nC@20V olup hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 275mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok