Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75925D3ST
MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75925D3
HUF75925D3ST Hakkında
HUF75925D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 11A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 275mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konverterler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 78nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Ürün durumu obsolete olup, stok ve alternatif çözümler için tedarikçi ile iletişim önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 275mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok