Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75831SK8T

MOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUF75831

HUF75831SK8T Hakkında

HUF75831SK8T, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 150V drain-source voltajı ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 10V drive voltajında 95mΩ maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan HUF75831SK8T, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motorun hız kontrolünde ve dijital lojik uygulamalarında sürücü transistörü olarak kullanılır. 80nC gate charge ve 1175pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 2.5W güç disipasyonu kapasitesi bulunur. (Not: Bu ürün üretilmeyen revizyon statusundadır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1175 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok