Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75831SK8T

MOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUF75831

HUF75831SK8T Hakkında

HUF75831SK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-pin SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 95mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı dijital lojik kart tasarımlarında kullanılır. 4V eşik gerilimi ve 80nC kapıl yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1175 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok