Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75829D3S
MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75829
HUF75829D3S Hakkında
HUF75829D3S, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile yüksek elektrik iletkenliği ve kompakt tasarım sunmaktadır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük enerji kaybı sağlarken, 110W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalara uygun hale getirir. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup, 70nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok